【中国仪表网 仪表研发】近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。  图1. 集成电路核心MOS器件结构发展趋势  图2. 研制的全隔离硅基环栅纳米线MOSFET结构与电学特性   5纳米以下集成电路技术中现有的FinFET器件结构面临诸多挑战

2018-04-26 11:30:44 · 中科院微电子研究所 阅读:1205
  【中国仪表网 仪表研发】近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。  图1. 集成电路核心MOS器件结构发展趋势  图2. 研制的全隔离硅基环栅纳米线MOSFET结构与电学特性   5纳米以下集成电路技术中现有的FinFET器件结构面临诸多挑战
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